对 2.5D 晶圆级封装技术而言,两颗芯片的信号互联,可以通过再分布层(Re-Distribution Layer,RDL)或者硅介层(Silicon Interposer)技术来实现。
对 3D 晶圆级封装技术而言,逻辑、通讯类芯片如 CPU、GPU、ASIC、PHY 的信号互联,也可通过再分布层(RDL)或硅介层(Silicon Interposer)技术来实现。但是,3D 堆叠起来的多个高带宽存储(High-Bandwidth Memory,HBM)芯片与其底部的逻辑类芯片的信号互联,则由硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)技术来实现。当然,以上几种互联(Interconnect)如何取舍,需按实际规格、成本目标做 case-by-case 分析。
晶圆级封装都会伴随着气泡问题,而解决气泡问题是很困难的,只能借助友硕ELT真空压力除泡机,采用高温高压+真空的物理除泡技术才能去除气泡,减少报废和提高良品率。
不论着眼现在,还是放眼未来,随着 5G、人工智能、物联网等大技术趋势奔涌而至,在高密度异构集成的技术竞赛中,晶圆级封装技术必将占有一席之地。